技術(shù)編號:11810080
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。包括輔助位線的半導(dǎo)體裝置相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2015年5月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2015-0070648的優(yōu)先權(quán),該申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)為了增大非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置的集成密度,開展了關(guān)于豎直類型NAND(VNAND)溝道結(jié)構(gòu)的研究。例如,在H.Tanaka等人的“用于超高密度閃存的穿孔和插塞工藝的位成本可擴充技術(shù)(BitCostScalableTechnologywithPunchandPlugPr...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。