技術(shù)編號(hào):11811072
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域,涉及一種可控制備單層分形二硫化鉬的方法。背景技術(shù)二硫化鉬是一種典型的過(guò)渡金屬二硫族化合物,因其在光、電、潤(rùn)滑、催化等多方面具有廣泛的應(yīng)用前景,一直備受人們的關(guān)注。二硫化鉬塊體材料是一種間接帶隙(~1.2eV)的材料,它是由共價(jià)鍵連接的S3-Mo-S3層層堆疊組成的,層與層之間是弱的范德華力,從而使得塊體的二硫化鉬可以通過(guò)機(jī)械剝離的方式獲得單層,單層的二硫化鉬是一種直接帶隙(~1.9eV)的二維原子晶體,展現(xiàn)出新奇的光學(xué)、電學(xué)、谷電子學(xué)、電催化等性能,從而成為目前人們研究的一類...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。