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技術(shù)編號：11811093

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本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種利用PECVD工藝淀積薄膜的方法和一種PECVD裝置。背景技術(shù)所謂PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)工藝是指，借助微波或者射頻(RadioFrequency，簡稱RF)等使含有薄膜組成原子的氣體電離形成等離子體，并利用等離子體化學(xué)活性強(qiáng)的特點(diǎn)，在硅片上發(fā)生反應(yīng)以淀積所期望的薄膜方法，具有工作溫度低、淀積速率快、薄膜致密性好、工藝重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。如圖1所示，現(xiàn)有一...
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