技術(shù)編號(hào)：11835958
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種對(duì)布線后晶圓進(jìn)行合金化處理的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造CMOS工藝技術(shù)中，晶圓在完成布線后，會(huì)經(jīng)過一道合金(Alloy)工藝，合金工藝相當(dāng)于一個(gè)退火的過程，其目的在于使金屬再結(jié)晶，修復(fù)離子造成的損傷等。在集成電路設(shè)計(jì)中，電路的設(shè)計(jì)者往往設(shè)計(jì)一個(gè)振蕩電路能產(chǎn)生大小和方向相同的周期性振蕩電流從而實(shí)現(xiàn)電路工作的目的。具體的，振蕩電路的周期T＝1/f＝2πRC，從公式可以看出，振蕩頻率f與振蕩電路的電阻R、電容C相關(guān)，振蕩頻率f與振蕩電阻成反比，振蕩頻率...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。