技術(shù)編號(hào)：11836554
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種能夠加速冷卻的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)。背景技術(shù)人造SiC通常是在坩堝中進(jìn)行生產(chǎn)的，坩堝是通過(guò)石墨平臺(tái)進(jìn)行支撐的，石墨平臺(tái)起到均熱作用，在SiC生長(zhǎng)過(guò)程中，需要反復(fù)對(duì)坩堝進(jìn)行加熱和冷卻，石墨平臺(tái)也需要經(jīng)歷反復(fù)不斷的膨脹和收縮，石墨平臺(tái)的膨脹和收縮會(huì)導(dǎo)致坩堝的中心位置發(fā)生偏移，使得坩堝在使用過(guò)程中不穩(wěn)定，容易晃動(dòng)，一旦坩堝在使用過(guò)程中發(fā)生晃動(dòng)，極易導(dǎo)致坩堝內(nèi)的溫場(chǎng)不均勻，嚴(yán)重影響SiC的質(zhì)量。另外，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)坩堝的加熱方式使得坩堝受熱不均勻，這影響了SiC晶體的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。