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技術(shù)編號(hào)：11840463

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本申請(qǐng)涉及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，特別地涉及減小IGBT中的集電極-發(fā)射極電壓過(guò)沖。背景技術(shù)在IGBT的關(guān)閉期間，IGBT的集電極(C)和發(fā)射極(E)端子上的電壓(VCE)通常過(guò)沖超過(guò)其額定值。這樣的VCE關(guān)閉過(guò)沖降低了IGBT操作的安全裕度并且可能在超過(guò)最大VCE擊穿電壓額定值時(shí)導(dǎo)致IGBT的立刻破壞。減小VCE關(guān)閉過(guò)沖的關(guān)鍵因素是減小關(guān)閉期間集電極電流IC的上升速率(diC/dt)。然而，關(guān)閉期間的diC/dt很難控制。對(duì)于其中絕緣柵極布置在形成在諸如硅等半導(dǎo)體材料中的溝槽中的溝槽柵...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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