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技術(shù)編號(hào)：11859230

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本實(shí)用新型涉及常關(guān)斷型高電子遷移率晶體管(HEMT)，其包括溝槽，該溝槽包括柵極區(qū)并形成至少一個(gè)臺(tái)階。背景技術(shù)如所知道的，HEMT晶體管(還稱(chēng)為“異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管”(HFET))遭遇寬擴(kuò)散，因?yàn)樗鼈兊奶卣髟谟诳赡芤愿哳l工作以及由于它們的高擊穿電壓。例如，已知包括AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的HEMT晶體管，然而，HEMT晶體管是常導(dǎo)通型器件，即，使得在各柵極端子上不存在電壓時(shí)，在任意情況下都會(huì)出現(xiàn)電流通路；等同地，據(jù)說(shuō)這些晶體管以耗盡模式工作。因?yàn)橥ǔ?yōu)選的是提供常關(guān)斷型(等同地，以增強(qiáng)模式工作)...
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