技術(shù)編號(hào)：11869409
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低成本絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGBT)的制備方法。背景技術(shù)高壓IGBT的制備材料通常選用低摻雜濃度的區(qū)熔襯底Si材料(FZ單晶襯底)，常規(guī)的方法是先在襯底上用零層版(Zeromask)刻出對(duì)位標(biāo)記，接著的工藝是生長(zhǎng)比較薄的氧化層（padoxide），然后進(jìn)行終端(ring)注入，這個(gè)注入的雜質(zhì)一般選用Boron；ring注入是會(huì)用到光刻版的，這個(gè)ring注入的mask是對(duì)準(zhǔn)前面的零層版；接下來，把padoxide刻蝕掉，熱生長(zhǎng)1-2um左右的場(chǎng)氧（Fi...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。