技術(shù)編號(hào)：11876711
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及鎖相環(huán)(PLL)電路，尤其是一種抗單粒子輻射的自偏置PLL加固結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)電子器件在太空中工作時(shí)，會(huì)受到高能質(zhì)子、高能中子及宇宙重離子的轟擊。撞擊本身，以及撞擊產(chǎn)生的次級粒子，都會(huì)在體硅上電離電子空穴對；當(dāng)電離積累的電荷數(shù)量達(dá)到一定量級時(shí)，會(huì)對電路狀態(tài)產(chǎn)生擾動(dòng)。如：存儲(chǔ)類單元的位翻轉(zhuǎn)、組合邏輯中的瞬態(tài)脈沖等，這些效應(yīng)常被稱為單粒子效應(yīng)。在大尺寸工藝條件下，單粒子效應(yīng)對電路的影響主要表現(xiàn)為單粒子翻轉(zhuǎn)，主要影響帶存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的電路。而對于小尺寸而言，電路不但會(huì)受到單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的影響，同樣也...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。