技術(shù)編號：11879563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種超細硅環(huán)的拋光方法，屬于機械加工技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)一般在制造半導體集成電路的時候，需要對硅晶片上形成的層間絕緣層(SiO2)進行刻蝕工藝。為了對帶有絕緣層的硅片進行刻蝕，要使用等離子刻蝕裝置，如圖1所示。在該等離子刻蝕裝置中，刻蝕氣體1通過設(shè)置于硅電極板2的貫穿細孔朝向硅片5并同時施加高頻電壓，從而在等離子體刻蝕用硅電極板2和硅片5之間產(chǎn)生了等離子體2，該等離子體2作用于硅片5，從而實現(xiàn)對硅片5表面絕緣層的刻蝕。在該過程中，硅片5被置于載片臺4上。由于工藝或硅片的不同，載片臺4的結(jié)...
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