技術(shù)編號(hào)：11891146
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器陣列及形成存儲(chǔ)器陣列的方法。背景技術(shù)存儲(chǔ)器是一種類型的集成電路，且用于電子系統(tǒng)中以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。通常，集成存儲(chǔ)器被制造成個(gè)別存儲(chǔ)器單元的一或多個(gè)陣列。所述存儲(chǔ)器單元經(jīng)配置以保存或存儲(chǔ)處于至少兩種不同可選擇狀態(tài)的存儲(chǔ)器。在二進(jìn)制系統(tǒng)中，所述狀態(tài)被視為“0”或“1”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個(gè)別存儲(chǔ)器單元可經(jīng)配置以存儲(chǔ)信息的兩種以上級(jí)別或狀態(tài)。一種類型的存儲(chǔ)器是相變存儲(chǔ)器(PCM)。此存儲(chǔ)器利用相變材料作為可編程材料?？捎糜赑CM中的實(shí)例相變材料是硫族化物材料。通過施加適當(dāng)刺激，相變材料從...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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