技術(shù)編號(hào)：11919813
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于分子模擬計(jì)算領(lǐng)域，特別是一種CL-20/DNB共晶基復(fù)合物的模擬方法。背景技術(shù)在含能材料領(lǐng)域，能量高、感度低的炸藥一直是研究者的追求，其重要的解決途徑是采用高能頓感的含能材料。而現(xiàn)有的單質(zhì)含能材料在能量和安全性方面存在著突出的矛盾，嚴(yán)重制約其發(fā)展應(yīng)用。于是，研究者嘗試了很多途徑對(duì)現(xiàn)有的單質(zhì)含能材料進(jìn)行了改性研究，現(xiàn)在常見的方法有重結(jié)晶、高聚物包覆和復(fù)合以及共晶改性等方法。近幾年，研究者們嘗試通過制備含CL-20共晶的方法來降低其感度以提高應(yīng)用范圍，其中除了CL-20/HMX共晶外，典型...
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