技術(shù)編號:11919885
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種適于研究ZnMgO/ZnO異質(zhì)結(jié)中合金群散射的MonteCarlo模擬方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及模擬ZnMgO/ZnO異質(zhì)結(jié)中的二維電子氣輸運特性,特別是合金群散射機制對低場和高場條件下電子輸運特性影響的MonteCarlo模擬。背景技術(shù)近年來,隨著寬禁帶半導體材料和器件制備工藝的迅速發(fā)展,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(Diamond)、二氧化鈦(TiO2)、氮化鋁(AlN)等為代表的新一代寬禁帶半導體憑其卓越的材料特性為高性能半導體器件和集成電路的研究注入了新...
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