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技術(shù)編號：11925535

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一種高可靠性的SOI-LIGBT技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高可靠性的SOI-LIGBT(LateralInsulatedGateBipolarTransistor，橫向絕緣柵雙極型晶體管)。背景技術(shù)電力電子器件在電能的控制和轉(zhuǎn)換上起著巨大的作用，而IGBT(Insulator-Gate-Bipolar-Transistor)作為電力電子器件的典型代表，其既具有MOSFET高輸入阻抗和驅(qū)動簡單的優(yōu)點，電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)又使其具有BJT(Bipolar-Junction-Transis...
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