技術編號：11925587
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、包括該薄膜晶體管的陣列基板。背景技術多晶硅(p-si)薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)由于具有響應時間快、容易實現(xiàn)重摻雜、溝道電流穩(wěn)定等優(yōu)點，在顯示領域得到了廣泛應用。在多晶硅薄膜晶體管的制備工藝中，制備源/漏極之前，先進行過孔工藝，在p-si層以上形成過孔。傳統(tǒng)的過孔工藝，一是僅采用CF4/O2氣體進行刻蝕，這種工藝由于刻蝕氣體對絕緣膜和p-Si的選擇比低，而出現(xiàn)p-Si層同時被刻蝕掉的問題。為了提高對絕緣膜...
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