技術(shù)編號:11934377
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及單晶硅的制造方法及單晶硅的制造系統(tǒng),尤其涉及通過切克勞斯基法提拉單晶硅時使用的向氧化硅玻璃坩堝填充原料的方法。背景技術(shù)已知的是,切克勞斯基法(CZ法)作為一種單晶硅的培育方法。在CZ法中,在氧化硅玻璃坩堝內(nèi)熔化硅原料,將晶種浸漬在得到的硅熔液中,使坩堝旋轉(zhuǎn)同時慢慢地提拉晶種,這樣使單結(jié)晶生長。為了提高單結(jié)晶的制造成品率,需要通過一次提拉步驟盡可能得到大的錠,為此需要在最初盡可能地將大量原料填充到坩堝中。例如,可以在直徑32英寸(約810mm)的坩堝中填充約500kg的原料,可以提拉直徑...
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