技術編號：11935486
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體退火裝置。背景技術當前，例如如日本特開2009－260115號公報所公開的那樣，已知對碳化硅(SiC)晶片實施退火處理的半導體退火裝置。上述公報所涉及的半導體退火裝置能夠由1臺裝置實施石墨膜向SiC晶片表面的形成、SiC晶片的高溫退火處理以及石墨膜的去除。專利文獻1：日本特開2009－260115號公報發(fā)明內(nèi)容在半導體退火裝置內(nèi)部具有管以及晶舟等工具。對這些工具要求能夠耐受退火處理的溫度域的充分的耐熱性。當前，作為在進行SiC晶片的退火的裝置中所使用的工具，例如使用在由SiC...
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