技術(shù)編號(hào):11935519
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開一般涉及集成電路(IC)。更具體而言,本公開涉及與解耦電容器結(jié)合的來自第二級(jí)中部制程層的電容器。背景技術(shù)用于集成電路(IC)的半導(dǎo)體制造的工藝流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工藝。FEOL工藝可包括晶片制備、隔離、阱形成、柵極圖案化、間隔物、擴(kuò)展和源極/漏極植入、硅化物形成、以及雙應(yīng)力內(nèi)襯形成。MOL工藝可包括柵極和端子觸點(diǎn)形成。BEOL工藝可包括用于將在FEOL和MOL工藝期間創(chuàng)建的半導(dǎo)體器件互連的一系列晶片加工步驟?,F(xiàn)代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的成功制造和...
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