技術編號：11947983
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種光罩及其制造方法，尤其涉及一種相位移光罩及其制造方法。背景技術隨著半導體技術日新月異，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的技術節(jié)點(Technicalnode)持續(xù)向下微縮至38納米，其關鍵尺寸(CriticalDimension)也隨著元件縮小而愈來愈接近曝光機臺的光學物理極限。因此，如何在現(xiàn)行曝光機臺與光罩的條件下，得到最大的光刻處理裕度(Processwindow)將成為未來重要的一門課題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種高透射率的相位移光罩及其制造方法，其可保留次解析輔助圖案(SRAFs...
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