技術(shù)編號：11955736
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體技術(shù)，且特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制造方法。背景技術(shù)刻蝕為相當(dāng)重要的工藝模塊，且刻蝕主要采取濕法刻蝕與干法刻蝕二種形式。干法刻蝕是將反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體離子化或解離以產(chǎn)生等離子體，并使具有反應(yīng)性的離子向晶圓加速，通過離子與晶圓表面的欲刻蝕材料間的化學(xué)反應(yīng)以驅(qū)使刻蝕反應(yīng)進(jìn)行。目前，為了提高生產(chǎn)機(jī)臺的晶圓產(chǎn)能，利用高功率等離子體以增加刻蝕的速度是必須的。然而，當(dāng)利用高功率等離子體刻蝕法以形成介層窗開口或接觸窗開口時，開口底部的金屬層容易因高功率等離子體而濺擊至開口的側(cè)壁上，如...
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