技術編號：11955774
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例涉及無掩模雙硅化工藝。背景技術在過去幾十年里，金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和FinFET的尺寸的減小，包括柵極長度和柵極氧化物厚度的減小，已經(jīng)使在集成電路的每單位功能的速度、性能、密度和成本上的持續(xù)的改進成為可能。為了進一步增強晶體管性能，已經(jīng)使用位于半導體襯底的部分中的應變的溝道區(qū)制造了MOSFET器件。應變的溝道區(qū)允許實現(xiàn)提高的載流子遷移率，因此當用于n溝道(NMOSFET)器件或用于p溝道(PMOSFET)器件時導致提高的性能。通常，期望在NMOSFET晶體管的...
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