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技術(shù)編號(hào)：11956114

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一種P型埋層AlGaN-GaN高電子遷移率晶體管技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明主要涉及一種寬禁帶材料功率半導(dǎo)體器件，特別是涉及一種應(yīng)用于電力開(kāi)關(guān)領(lǐng)域的AlGaN-GaN高電子遷移率晶體管。背景技術(shù)GaN材料具有良好的電學(xué)特性，如寬的禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、耐腐蝕等，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，是制作高頻、高壓、高溫、大功率電子器件和短波長(zhǎng)、大功率光電子器件的理想材料。AlGaN-GaN高電子遷移率晶體管由于自發(fā)極化效應(yīng)，在AlGaN...
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