技術(shù)編號(hào)：11956160
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種具有不飽和特性的肖特基晶體管及其制備方法。背景技術(shù)隨著信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，人們對(duì)于晶體管的性能要求越來越高，就拿市場上主要應(yīng)用的晶體管：場效應(yīng)晶體管和晶體三極管而言，場效應(yīng)晶體管具有許多的寄生效應(yīng)，比如說柵誘導(dǎo)泄漏電流(GIDL)和漏致勢壘降低效應(yīng)(DIBL)等，而晶體三極管是雙極性器件，工作速度比較慢，并且場效應(yīng)晶體管和晶體三極管的電流—電壓特性曲線都表現(xiàn)出飽和的特性，因此，當(dāng)器件應(yīng)用到放大電路中時(shí)，一旦輸出端超出器件的信息承載范圍，電路就會(huì)發(fā)生信號(hào)失真...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。