技術(shù)編號(hào)：11956166
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體涉及一種改善恢復(fù)時(shí)間和軟度的快恢復(fù)二極管。背景技術(shù)軟快恢復(fù)二極管的制造改進(jìn)，目前主要采用的技術(shù)是降低發(fā)射區(qū)注入效率和耐壓漂移區(qū)少子壽命的控制，其他如場(chǎng)終止技術(shù)、背面空穴注入等技術(shù)，主要針對(duì)二極管的發(fā)射區(qū)注入效率和耐壓漂移區(qū)的結(jié)構(gòu)優(yōu)化進(jìn)行。軟快恢復(fù)二極管尤其是高壓軟快恢復(fù)二極管，為了使電流加大，降低壓降，在單位面積耐壓漂移區(qū)電阻不變的情況下，只能增加芯片面積。PN結(jié)的電容包括勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容，軟快恢復(fù)二極管在正向?qū)〞r(shí)，由于擴(kuò)散電容的作用，在耗盡區(qū)附近存儲(chǔ)了大量的少...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。