技術(shù)編號(hào):11956199
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種背面具有高反射率區(qū)域而正面具有細(xì)蝕刻痕跡的高效率太陽(yáng)能電池及其制作方法。背景技術(shù)目前,太陽(yáng)能電池是通過(guò)入射光線照射半導(dǎo)體基板,在其PN接面處產(chǎn)生電子空穴對(duì),在電子空穴對(duì)再結(jié)合之前,分別經(jīng)由電池正面(或受光面)及背面電極收集,如此產(chǎn)生光電流。其中,入射光線穿透半導(dǎo)體基板,在背面有一定部份會(huì)反射,反射的光可讓電池進(jìn)行二次吸收,形成電子空穴對(duì),增加光電流。已知背面拋光結(jié)構(gòu)可以增加正面入射光于背面的反射量。目前,結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池的制作是在正面擴(kuò)散后,形成PN接...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。