技術(shù)編號(hào)：11991007
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及快閃存儲(chǔ)器領(lǐng)域，特別涉及一種改善快閃存儲(chǔ)器擦除性能的方法。背景技術(shù)眾所周知，快閃存儲(chǔ)器(flashmemory)是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatilememory)，其包括大量的存儲(chǔ)單元。每一個(gè)存儲(chǔ)單元包括能夠保存電荷的浮動(dòng)?xùn)艠O場(chǎng)效應(yīng)晶體管。典型的快閃存儲(chǔ)器通過改變浮動(dòng)?xùn)艠O中電子的數(shù)量來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)：將電子注入到一個(gè)存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O時(shí)，該存儲(chǔ)單元的閾值電壓增加，這時(shí)該存儲(chǔ)單元處于已編程狀態(tài)；而當(dāng)將該存儲(chǔ)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O中俘獲的電子去除后，該存儲(chǔ)單元的閾值電壓降低，這時(shí)該存儲(chǔ)單元處于...
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