技術(shù)編號：11995449
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。高密度三維集成電容器相關(guān)申請的交叉引用本申請是申請?zhí)枮?2/964049、申請日為2010年12月9日的美國專利申請的繼續(xù)申請，其公開的內(nèi)容以引用的方式并入本文。背景技術(shù)本發(fā)明涉及半導體芯片內(nèi)或特定類型的如為半導體、玻璃、陶瓷或其他熱膨脹系數(shù)(CTE)相對低的材料的基板內(nèi)的電容器，制造這種電容器的方法，及這種電容器中應用的元器件。電容器一般在信號線內(nèi)或者在電源線內(nèi)用于噪聲抑制。在電源線內(nèi)，通過沿電源線安裝大量電容器而降低阻抗水平，可實現(xiàn)噪聲抑制。這種電容器的安裝可使系統(tǒng)的尺寸及成本增加，因為安裝...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。