技術(shù)編號(hào)：11995664
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柵極的形成方法。背景技術(shù)MOS晶體管通過(guò)在柵極施加電壓，調(diào)節(jié)通過(guò)溝道區(qū)域的電流來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)信號(hào)。但當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入30納米以下節(jié)點(diǎn)時(shí)，傳統(tǒng)的平面式MOS晶體管對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）是一種新興的多柵器件，它一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的半導(dǎo)體鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)的源區(qū)和漏區(qū)。在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成工藝中，由于鰭部凸出于半導(dǎo)體襯底表面，在所述半導(dǎo)體襯底表面...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。