技術(shù)編號:11996174
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于氣體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及生產(chǎn)甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、丙硅烷(Si3H8)等的方法,尤其適用乙硅烷的制造方法。背景技術(shù)在微電子產(chǎn)品制造過程,硅用以隔離電子精密組件中各導(dǎo)電層。由于組件,例如芯片,一再追求精密度,規(guī)格設(shè)計越來越細,從微米級進步到納米級,所以硅隔離層已經(jīng)無法用機械方法切割形成,而必須用氣相層積法形成,所以硅烷類的使用形成必須之材料。乙硅烷是一種很有前途的硅膜先體。與甲硅烷相比,它具有沉積速度快、溫度要求低、膜均勻度高等優(yōu)越性,是半導(dǎo)體工業(yè)中頗有吸引力的特種...
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