技術(shù)編號(hào)：12040469
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種電子組件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管及其制造方法。背景技術(shù)隨著科技的發(fā)展，電子組件的微型化已成趨勢(shì)。當(dāng)然，薄膜晶體管亦不例外。在公知技術(shù)中，薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、阻擋層以及信道。源極、漏極同屬一膜層，且分別設(shè)于信道二側(cè)。柵極與信道重迭。阻擋層具有暴露出信道上表面的二接觸窗。源極與漏極分別填入這些接觸窗，而與信道接觸。然而，接觸窗的存在使得信道需保留被接觸窗暴露出的面積，不利于薄膜晶體管面積的縮減。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，其可制造出面積...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。