技術(shù)編號(hào)：12064048
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微波技術(shù)、微波電路領(lǐng)域，具體涉及一種集總參數(shù)射頻電感模型背景技術(shù)單片微波集成電路已被用于許多高頻個(gè)人通信產(chǎn)品。由于硅集成技術(shù)具有應(yīng)用面廣，集成度高和成本低的特點(diǎn)，隨著研究的深入，許多早期的微波器件的頻率限制已被克服。因此，現(xiàn)在硅集成技術(shù)在越來越多的射頻和微波應(yīng)用中使用。典型的應(yīng)用包括低噪聲放大器，混頻器，射頻開關(guān)，功率放大器和電壓控制振蕩器等。由于集總元件具有小尺寸的特性，它們?cè)诩呻娐分械膽?yīng)用是非常普遍的。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的硅技術(shù)，因?yàn)樗哂懈叩囊r底損耗和使用電阻率較高的鋁、銅及較薄的金屬厚...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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