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技術(shù)編號(hào)：12065927

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別是涉及一種包含電容結(jié)構(gòu)和通孔結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)為了持續(xù)改善積體電路的的功能及效能，工業(yè)上已經(jīng)在近期發(fā)展出使半導(dǎo)體裝置垂直互連的技術(shù)，一般為人所知的是三維堆疊技術(shù)(3-dimensionalstackingtechnology)。典型地，在積體電路中，硅通孔(through-silicon-via，TSV)成為用來改善晶片效能的可行方法，并利用晶片上去耦電容(decouplingcapacitor)作為電荷庫(chargereservo...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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