技術(shù)編號：12071439
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往，為了防止由源極中的鋁(Al)引起的層間絕緣膜的腐蝕和由多晶硅形成的柵極與源極之間的短路而設(shè)置有勢壘金屬層。另外，為了改善電接觸，在具有Al的陽極電極和具有Al的陰極電極與多晶硅層之間設(shè)置有勢壘金屬層(例如，參照專利文獻1)。另外，在由碳化硅(SiC)形成的半導(dǎo)體裝置中，已知使用了npn雙極結(jié)構(gòu)的溫度元件檢測器(例如，參照專利文獻2)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2012-129503號公報專利文獻2：日本特開2013-201357號公報發(fā)明內(nèi)容技術(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。