技術(shù)編號：12099881
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于硅太陽能拉晶技術(shù)，具體涉及一種硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場。背景技術(shù)拉晶是熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。硅太陽能拉晶行業(yè)一般采用直拉法進行拉晶，直拉法需要通過石墨加熱器產(chǎn)生熱量，通過熱量輻射將爐內(nèi)石英堝承載的硅料加熱達到1420℃熔化成液體，然后再在一定狀態(tài)下，利用直拉法生產(chǎn)出單晶。在采用直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱...
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