技術編號：12100477
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及微電子技術領域，特別涉及一種二氧化硅基片的刻蝕方法。背景技術隨著光通信的飛速發(fā)展，SiO2光波導因其自身具有的特征成為較理想的波導原件，同時也成為光通信領域研究的熱點。隨著刻蝕技術的發(fā)展，尤其是干法刻蝕技術，其因為具有刻蝕精度高，表面損傷小等優(yōu)點，逐漸被引入到光波導器件的研制中來?，F(xiàn)有的一種二氧化硅基片的刻蝕方法是采用C4F8、Ar和H2的混合氣體，并采用光刻膠做掩膜刻蝕二氧化硅基片。該刻蝕方法的主要特點為：采用較高的上電極功率和下電極功率，并且C4F8、Ar和H2的氣體流量比例為5：...
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