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一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料及其制備方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12128606

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本發(fā)明涉及電子材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料及其制備方法。背景技術(shù)隨著微電子封裝技術(shù)的發(fā)展,電子元件的功率密度越來(lái)越大,致使單位體積發(fā)熱量也隨之增加,所以對(duì)新一代電路基材的散熱能力即熱導(dǎo)率要求越高。現(xiàn)階段開(kāi)發(fā)的高熱導(dǎo)率陶瓷基材有AlN、SiC和BeO,其中BeO具有毒性,不利于環(huán)保;而SiC的介電常數(shù)偏高,不適宜作基片。近年來(lái),對(duì)于在高溫環(huán)境下使用的電路板,尤其是對(duì)于高功率應(yīng)用,一直需要采用氮化鋁(AlN)襯底。AlN陶瓷基體是以氮化鋁為主晶相的陶瓷,具有纖鋅礦...
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