技術(shù)編號(hào)：12129506
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件用于大量的電子器件中，諸如計(jì)算機(jī)、手機(jī)等。半導(dǎo)體器件包括通過(guò)以下步驟在半導(dǎo)體晶圓上形成的集成電路：在半導(dǎo)體晶圓上方沉積許多類(lèi)型的材料薄膜以及圖案化材料薄膜以形成集成電路。集成電路包括諸如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。在提高晶體管性能以及減小晶體管的尺寸的進(jìn)程中，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了溝道和源極/漏極區(qū)域位于由塊狀襯底形成的鰭中的晶體管。這種非平面器件是多柵極FinFET。多柵極FinFET可以...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。