技術(shù)編號(hào)：12159836
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種外延結(jié)構(gòu)及方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，也稱外延生長(zhǎng)。外延生長(zhǎng)是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的重要組成部分。外延生長(zhǎng)的新單晶層可在導(dǎo)電類型、電阻率等方面與襯底不同，還可以生長(zhǎng)不同厚度和不同要求的多層單晶，從而大大提高器件設(shè)計(jì)的靈活性和器件的性能。外延工藝還廣泛用于大規(guī)模集成電路中改善材料質(zhì)量方面等，例如，當(dāng)要獲得的外延層的材料的高質(zhì)量單晶襯底較難獲得，或者為了降低成本時(shí)，可以采...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。