技術(shù)編號:12180274
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體地,涉及一種IGBT用散熱底板及其制造方法。背景技術(shù)IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。Al/SiC(鋁碳化硅)復(fù)合材料是一種新型的IGBT散熱材料,其膨脹系數(shù)與IGBT芯片非常接近,密度只有銅的三分之一,熱導(dǎo)率高達(dá)200W,非常符合電動汽車高電壓、大功率IGBT模塊對散熱底板的要求。圖1和圖2示出了IGBT用散熱底板,其包括散熱底板本體1,該散熱底板本體1上設(shè)置有安裝孔2...
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