技術(shù)編號:12183637
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于碳化硅溶液法裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種碳化硅溶液法中實(shí)時(shí)監(jiān)測并調(diào)整固液界面高度的裝置。背景技術(shù)碳化硅(SiC)比硅(Si)具有更大的能帶隙,SiC單晶具有優(yōu)異的物理性質(zhì),相當(dāng)高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,抗輻射線強(qiáng),機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異,比Si具有更高的擊穿電壓和熱導(dǎo)率等。作為新一代的半導(dǎo)體材料,研究人員對高品質(zhì)單晶SiC的期望值在不斷提升。關(guān)于SiC晶體在內(nèi)的所有高質(zhì)量的半導(dǎo)體材料來說,有兩個(gè)基本要求:其一,晶體含有盡可能少的缺陷;其二,晶體中存在的雜質(zhì)濃度要盡可能的低。目前,已知的SiC單...
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