技術(shù)編號(hào)：12267031
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種透射電鏡樣品的制備方法。背景技術(shù)透射電子顯微鏡(TransmissionElectronMicroscopy，縮寫(xiě)TEM，簡(jiǎn)稱透射電鏡)由于具有超高的分辨率和極強(qiáng)的分析功能，已經(jīng)成為先進(jìn)工藝半導(dǎo)體行業(yè)中進(jìn)行材料結(jié)構(gòu)分析、半導(dǎo)體失效分析的非常重要的工具和手段。其中，在透射電鏡進(jìn)行分析過(guò)程中最為重要的莫過(guò)于透射電鏡樣品的制備。在半導(dǎo)體失效分析過(guò)程中，首先需要將芯片失效地址制備成厚度約0.1um，面積約30um2～200um2的樣品，再通過(guò)透射電鏡觀測(cè)樣品是否...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。