技術編號：12274114
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本文所描述的實施例涉及半導體存儲器，包括用于數(shù)據(jù)編碼以避免多次寫入相同的存儲器單元的結構和方法。背景技術寫入一次存儲器(“WOM”)和一次可編程(“OTP”)存儲器是用于分類限于任何存儲單元的單個狀態(tài)改變的非易失性半導體存儲器技術的術語。這樣的技術的示例包括熔絲連接存儲器、電可編程只讀存儲器(“EPROM”)和電可擦除可編程只讀存儲器(“EEPROM”)等。在制造期間，WOM或OTP半導體存儲器陣列的存儲單元通常都被初始化為相同的狀態(tài)，不管全部邏輯0或全部邏輯1。應當注意，本文中的示例假設在制造...
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