技術(shù)編號：12275132
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。背景技術(shù)在摩爾定律的預(yù)示下，晶體管的尺寸每18個月便縮小到原來的一半。隨著CMOS電路線寬的不斷縮小，柵極氧化層的厚度也在不斷縮小，器件的高集成度和超薄的柵極氧化層使得器件能夠提供更好的性能。圖1為現(xiàn)有的一種平面型半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有的平面型半導(dǎo)體器件中，包括：由隔離結(jié)構(gòu)12隔離開的有源區(qū)11；在所述有源區(qū)11中形成有源極S和漏極D；以及，形成橫跨所述有源區(qū)11和所述隔離結(jié)構(gòu)12的柵極結(jié)構(gòu)13，所述柵極結(jié)構(gòu)13...
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