技術(shù)編號：12287086
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及利用磁阻抗元件(Magneto-Impedanceelement：稱為“MI元件”)檢測磁的磁檢測裝置(包括“MI傳感器”單體)及其制造方法。背景技術(shù)以往為了獲知方位等而進行磁測定。例如，在電子羅盤等中，為了獲知正確的方位而測定三維的磁向量。該磁向量的測定通過磁傳感器進行。該磁傳感器也包括霍爾元件、MR元件等，但是近年來，與這樣的以往的元件的構(gòu)造、原理截然不同且相差懸殊的高靈敏度的MI元件引起注目。MI元件是利用了磁阻抗效應(yīng)(稱為“MI效應(yīng)”)的結(jié)構(gòu)，該磁阻抗效應(yīng)是在非晶絲等磁敏線流過...
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