技術(shù)編號(hào)：12307945
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于薄膜太陽電池領(lǐng)域，尤其是一種實(shí)現(xiàn)表面等離子激元增強(qiáng)型納米結(jié)構(gòu)薄膜太陽電池的方法。背景技術(shù)太陽電池要成為未來主力能源形式，必須實(shí)現(xiàn)高效與低成本，其中薄層化一直是非常重要的發(fā)展趨勢之一。此外，對于非晶硅薄膜電池，有源層厚度的降低，還有利于降低光致衰退效應(yīng)，提升器件穩(wěn)定性。而對于銅銦鎵硒、碲化鎘等化合物太陽電池，厚度的降低，可減少有毒及微量元素的使用量，同樣有利于提升產(chǎn)業(yè)競爭力。然而材料的減薄，因其有限吸收系數(shù)（特別在帶隙附近），則必須借助于高效的光管理結(jié)構(gòu)，以薄的“物理厚度”獲得厚的“光學(xué)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。