技術(shù)編號：12358899
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，具體涉及一種電容式復(fù)合傳感器及其制造方法。背景技術(shù)中國專利CN104058361A利用預(yù)制空腔SOI晶圓，制造壓阻式復(fù)合傳感器。預(yù)先做好的空腔和對應(yīng)的硅膜分別用來制作壓力傳感器和加速度傳感器。對于加速度傳感器，利用硅膜和增厚的金屬作為加速度傳感器的質(zhì)量塊。該專利的技術(shù)問題點在于，目前通常復(fù)合傳感器的加速度傳感器部分其過載保護依靠預(yù)先做的埋腔深度和保護蓋帽到加速度傳感器質(zhì)量塊頂層的間距來實現(xiàn)。通常埋腔深度的控制相對容易，由刻蝕深度決定；而保護蓋帽到加速度傳感器質(zhì)量塊頂層的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。