技術(shù)編號(hào):12368870
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種基于FPGA的可高速寫入數(shù)據(jù)的抗輻射SRAM單元的制備方法。背景技術(shù)據(jù)研究報(bào)道,隨著工藝尺寸的減少,芯片里的集成電路在高層太空或近地球空間越來(lái)越容易受到重粒子或質(zhì)子輻射影響而產(chǎn)生錯(cuò)誤。研究顯示,輻射如果發(fā)生在SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)等存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn),可能直接導(dǎo)致存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)錯(cuò)誤數(shù)值,產(chǎn)生單粒子翻轉(zhuǎn)事件;輻射如果發(fā)生在組合電路節(jié)點(diǎn),可能引起單粒子瞬態(tài)脈沖,改變電路節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài);該單粒子瞬態(tài)脈沖引起的錯(cuò)誤值傳導(dǎo)到存儲(chǔ)器會(huì)也可能被捕捉存儲(chǔ),產(chǎn)生單粒子翻轉(zhuǎn)事件...
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