技術編號：12369965
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于液晶電子領域，具體涉及一種提高TFT-LCD透過率的方法。背景技術在設計TFT-LCD時，為了保證TFT在關態(tài)時能夠保持像素電壓基本不變，需要設計存儲電容(CS，CapacitanceStorage)對像素進行充電，電路原理圖如圖1所示。對于大中尺寸液晶顯示器所用的薄膜晶體管，一般需要設計一條專門的CS金屬線，來保證存儲電容達到設計值，如圖2所示。這樣使得存儲電容需要占用較大的面積，從而導致薄膜晶體管的透過率降低。發(fā)明內(nèi)容發(fā)明目的：針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明公開了一種高透過率薄膜...
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