技術編號：12370329
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體技術中的氮化鎵基器件領域，具體涉及一種帶氮化鎵插入層的氮化鎵基增強型器件及其制備方法。背景技術以AlGaN/GaN、InGaN/GaN、InAlN/GaN等為材料基礎的器件統稱為氮化鎵基器件，例如AlGaN/GaN異質結場效應管(heterostructurefieldeffecttransistors,HFET)，異質結雙極晶體管(heterostructurebipolartransistor,HBT)等。氮化鎵基器件具有擊穿場強大、電子遷移率高、飽和速度大等優(yōu)點，被認為是下...
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