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技術(shù)編號：12370356

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本發(fā)明涉及一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件以及其制造方法，尤其是涉及一種具有降低寄生電容效果的高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件以及其制造方法。背景技術(shù)在具有高壓處理能力的功率元件中，雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(double-diffusedMOS，DMOS)晶體管元件持續(xù)受到重視。常見的DMOS晶體管元件有垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(verticaldouble-diffusedMOS，VDMOS)與橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管元件。而LDMOS晶體管元件因具有較高的操作頻寬與操作...
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